专利摘要：本实用新型提供了一种OCD测量通孔深度的器件结构，包括：衬底、介质结构层和硬掩模层，介质结构层和硬掩模层由下至上依次位于衬底上，硬掩模层和介质结构层中具有若干纵向贯穿硬掩模层和介质结构层的连接开口，每个连接开口均包括一个沟槽和至少两个通孔，沟槽与每个通孔均由上至下连通，其中沟槽的宽度为120nm～150nm。本实用新型实现对通孔深度的测量，并且在连接开口中设置至少两个通孔能够提高测量精度。
今年以来晶合集成新获得专利授权236个，较去年同期增加了85.83%。结合公司2023年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了5.02亿元，同比增27.46%。
数据来源：企查查
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