芯联集成获得发明专利授权:“一种晶圆风险曝光区域的识别方法、系统和存储介质”

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专利摘要:本申请涉及一种晶圆风险曝光区域的识别方法、系统和存储介质,所述方法包括:获取曝光设备上光照区域的尺寸信息和待曝光的晶圆半径;确认所述光照区域的第一中心坐标和所述晶圆的第二中心坐标,获取所述第一中心坐标到所述第二中心坐标的偏移量;获取所述光照区域中曝光区域的所有角点坐标;基于所述光照区域的尺寸信息、所述晶圆半径、所述偏移量、所述角点坐标计算每一个角点的据边,所述据边为所述角点到所述晶圆的边缘的距离;根据所述角点的据边确认所述曝光区域的种类,并确认所述晶圆上风险曝光区域的数量,其中所述曝光区域的种类包括风险曝光区域和无风险曝光区域。本申请可以识别晶圆上的风险曝光区域,以提升晶圆加工的成品率。

今年以来芯联集成新获得专利授权66个,较去年同期减少了15.38%。结合公司2023年中报财务数据,今年上半年公司在研发方面投入了6.5亿元,同比增70.44%。

芯联集成获得发明专利授权:“一种晶圆风险曝光区域的识别方法、系统和存储介质”

数据来源:企查查

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